今天武漢解封，長(zhǎng)江存儲(chǔ)公布128層最新進(jìn)展!
2020-4-8 21:18:03??????點(diǎn)擊：
4月8日，暫停76天的武漢正式解封。
位于武漢的長(zhǎng)江存儲(chǔ)近況備受業(yè)界關(guān)注，根據(jù)證券時(shí)報(bào)報(bào)道，長(zhǎng)江存儲(chǔ)在防疫期間做到了零感染和不停產(chǎn)的生產(chǎn)計(jì)劃，并且最先進(jìn)的128層3DNAND技術(shù)的研發(fā)有了最新進(jìn)展。
長(zhǎng)江存儲(chǔ)CEO楊士寧在接受采訪時(shí)表示，由于疫情影響，研發(fā)進(jìn)度在短期確實(shí)會(huì)有所波及。不過，目前長(zhǎng)江存儲(chǔ)已實(shí)現(xiàn)全員復(fù)工，各項(xiàng)進(jìn)度正在抓緊追趕，從中長(zhǎng)期來看，這次疫情并不會(huì)影響總體進(jìn)度。同時(shí)，128層技術(shù)會(huì)按計(jì)劃在2020年推出。
放眼全球，存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)一直都由海外企業(yè)主導(dǎo)，國(guó)內(nèi)離達(dá)到國(guó)際水平還有些距離。
早在2018年，長(zhǎng)江存儲(chǔ)就已經(jīng)開始對(duì)32層堆棧的3D閃存進(jìn)行小規(guī)模量產(chǎn)。隨后，長(zhǎng)江存儲(chǔ)在去年已經(jīng)宣布全球首款基于Xtacking 架構(gòu)打造的64層256Gb TLC 3D NAND芯片正式開始量產(chǎn)。
這標(biāo)志著長(zhǎng)江存儲(chǔ)在高端芯片設(shè)計(jì)制造路上取得了新突破，也意味著國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體行業(yè)技術(shù)水平離國(guó)際水平更進(jìn)一步。
此前業(yè)界就有消息稱，2020年長(zhǎng)江存儲(chǔ)將實(shí)現(xiàn)跨級(jí)跳，直接發(fā)展128層3D NAND技術(shù)，如果可以實(shí)現(xiàn)的話，那么明年國(guó)內(nèi)3D NAND技術(shù)將躋身國(guó)際大廠隊(duì)伍中去。
如今看來，長(zhǎng)江存儲(chǔ)確認(rèn)了這一消息。
就全球存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)的情況來看，今年將是100+層3D NAND技術(shù)的爆發(fā)之年，現(xiàn)在三星電子、東芝等主流廠商都已經(jīng)開始熱身，相信各大廠商的競(jìng)爭(zhēng)也將更為激烈。
位于武漢的長(zhǎng)江存儲(chǔ)近況備受業(yè)界關(guān)注，根據(jù)證券時(shí)報(bào)報(bào)道，長(zhǎng)江存儲(chǔ)在防疫期間做到了零感染和不停產(chǎn)的生產(chǎn)計(jì)劃，并且最先進(jìn)的128層3DNAND技術(shù)的研發(fā)有了最新進(jìn)展。
長(zhǎng)江存儲(chǔ)CEO楊士寧在接受采訪時(shí)表示，由于疫情影響，研發(fā)進(jìn)度在短期確實(shí)會(huì)有所波及。不過，目前長(zhǎng)江存儲(chǔ)已實(shí)現(xiàn)全員復(fù)工，各項(xiàng)進(jìn)度正在抓緊追趕，從中長(zhǎng)期來看，這次疫情并不會(huì)影響總體進(jìn)度。同時(shí)，128層技術(shù)會(huì)按計(jì)劃在2020年推出。
放眼全球，存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)一直都由海外企業(yè)主導(dǎo)，國(guó)內(nèi)離達(dá)到國(guó)際水平還有些距離。
早在2018年，長(zhǎng)江存儲(chǔ)就已經(jīng)開始對(duì)32層堆棧的3D閃存進(jìn)行小規(guī)模量產(chǎn)。隨后，長(zhǎng)江存儲(chǔ)在去年已經(jīng)宣布全球首款基于Xtacking 架構(gòu)打造的64層256Gb TLC 3D NAND芯片正式開始量產(chǎn)。
這標(biāo)志著長(zhǎng)江存儲(chǔ)在高端芯片設(shè)計(jì)制造路上取得了新突破，也意味著國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體行業(yè)技術(shù)水平離國(guó)際水平更進(jìn)一步。
此前業(yè)界就有消息稱，2020年長(zhǎng)江存儲(chǔ)將實(shí)現(xiàn)跨級(jí)跳，直接發(fā)展128層3D NAND技術(shù)，如果可以實(shí)現(xiàn)的話，那么明年國(guó)內(nèi)3D NAND技術(shù)將躋身國(guó)際大廠隊(duì)伍中去。
如今看來，長(zhǎng)江存儲(chǔ)確認(rèn)了這一消息。
就全球存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)的情況來看，今年將是100+層3D NAND技術(shù)的爆發(fā)之年，現(xiàn)在三星電子、東芝等主流廠商都已經(jīng)開始熱身，相信各大廠商的競(jìng)爭(zhēng)也將更為激烈。
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